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Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
6
I D = -4.2A
V DD = -20V
V DD = -15V
V DD = -25V
1000
C iss
4
2
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C oss
C rss
0
0
3
6
9
12
30
0.1
1
10
35
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
400
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JA = 156 C/W
T A = 25 C
10
0.1ms
100
V GS = -10V
SINGLE PULSE
o
o
1ms
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
R θ JA = 156o C/W
TA = 25o C
10ms
100ms
1s
10s
DC
10
1
10
10
10
0.01
0.1
1
10
100
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
2
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power Dissipation
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
0.02
0.01
t 1
R θ JA = 156 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC365P Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
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